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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 40 A, canale N, TO-247 (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 40 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 1 Tipo di package = TO-247 Tipo di canale = N...
ST Microelectronics
STGWA40H65DFB2
a partire da € 1,695*
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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 40 A, canale N, TO-247 (1 offerta) 
LIGBT ad alta velocità serie HB2 di STMicroelectronics rappresenta unevoluzione della Advanced proprietaria Trench gate field-stop struttura. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in term...
ST Microelectronics
STGWA40H65DFB2
a partire da € 2,46*
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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 40 A, canale N, TO-247 (3 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 40 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 238 W Tipo di package = TO-247 Tip...
ST Microelectronics
STGWA40IH65DF
a partire da € 2,11*
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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 40 A, canale N, TO-247 (1 offerta) 
LIGBT serie IH a commutazione graduale STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando una Advanced proprietaria Trench gate struttura di arresto di campo, le cui prestazioni sono ottimizzate sia...
ST Microelectronics
STGWA40IH65DF
a partire da € 4,546*
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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 40 A, canale N, TO-247 (3 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 40 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 147 W Tipo di package = TO-247 Tipo...
ST Microelectronics
STGWA20HP65FB2
a partire da € 1,24*
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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 40 A, canale N, TO-247 (1 offerta) 
LIGBT 650 V serie HB2 di STMicroelectronics rappresenta unevoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di cond...
ST Microelectronics
STGWA20HP65FB2
a partire da € 1,958*
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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 50 A, D2PAK (TO-263) (3 offerte) 
La serie IGBT 650 V HB2 di STMicroelectronics rappresenta unevoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di co...
ST Microelectronics
STGB30H65DFB2
a partire da € 1,048*
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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 50 A, D2PAK (TO-263) (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 1 Tipo di package = D2PAK (TO-263) Numero pin...
ST Microelectronics
STGB30H65DFB2
a partire da € 1,17*
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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 50 A, TO-220FP (3 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 50 W Tipo di package = TO-220FP Nu...
ST Microelectronics
STGF30H65DFB2
a partire da € 1,06*
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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 50 A, TO-220FP (1 offerta) 
La serie IGBT 650 V HB2 di STMicroelectronics rappresenta unevoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di co...
ST Microelectronics
STGF30H65DFB2
a partire da € 2,26*
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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 50 A, TO-247 (3 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 167 W Tipo di package = TO-247 Num...
ST Microelectronics
STGWA30H65DFB2
a partire da € 1,46*
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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 50 A, TO-247 (1 offerta) 
La serie IGBT 650 V HB2 di STMicroelectronics rappresenta unevoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di co...
ST Microelectronics
STGWA30H65DFB2
a partire da € 2,015*
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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 60 A, H2PAK-2 (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 60 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 20V Numero di transistor = 1 Tipo di package = H2PAK-2
ST Microelectronics
STGH30H65DFB-2AG
a partire da € 1,719*
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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 60 A, H2PAK-2 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 60 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 260 W Tipo di package = H2PAK-2
ST Microelectronics
STGH30H65DFB-2AG
a partire da € 2,273*
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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 60 A, TO-247 (2 offerte) 
La serie IGBT 650 V HB2 di STMicroelectronics rappresenta unevoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di co...
ST Microelectronics
STGWA30IH65DF
a partire da € 1,79*
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