Informazioni sul prodotto |  |
| |
| N. Articolo:
3369E-2066065 N. Art. Produtt.:
STGWA30IH65DF EAN/GTIN:
n.d. |
| |
|
| | |
| La serie IGBT 650 V HB2 di STMicroelectronics rappresenta unevoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di conduzione, grazie a un migliore comportamento VCE(sat) a bassi valori di corrente, nonché in termini di energia di commutazione ridotta.Progettato solo per la commutazione morbida Temperatura massima di giunzione: TJ = 175 °C. VCE(sat) = 1,55 V (tip.) @ IC = 30 A. Corrente di coda ridotta al minimo Distribuzione dei parametri rigida Bassa resistenza termica Diodo co-assemblato a libera circolazione con bassa caduta di tensione Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo Altre informazioni: | | Corrente massima continuativa collettore: | 60 A | Tensione massima collettore emitter: | 650 V | Tensione massima gate emitter: | ±20V | Dissipazione di potenza massima: | 108 W | Numero di transistor: | 1 | Tipo di package: | TO-247 | Numero pin: | 4 |
|
| | |
| | | |
| | | |
| |