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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-247 (1 offerta)

ESBT discreti, ST Microelectronics

ST Microelectronics

STGW40H65FB

a partire da € 4,48*
per 2 pezzi

IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-3P (2 offerte)

ESBT discreti, ST Microelectronics

ST Microelectronics

STGWT60H65DFB

a partire da € 2,506*
per pezzo

IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-3P (1 offerta)

ESBT discreti, ST Microelectronics

ST Microelectronics

STGWT60H65DFB

a partire da € 2,893*
per pezzo

IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 86 A, D2PAK (TO-263) (3 offerte)

Corrente massima continuativa collettore = 86 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 272 W Tipo di package = D2PAK (TO-...

ST Microelectronics

STGB50H65FB2

a partire da € 1,168*
per pezzo

IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 86 A, D2PAK (TO-263) (1 offerta)

La serie IGBT 650 V HB2 di STMicroelectronics rappresenta unevoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di co...

ST Microelectronics

STGB50H65FB2

a partire da € 2,18*
per pezzo

IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 86 A, canale N, TO-247 (3 offerte)

Corrente massima continuativa collettore = 86 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 20V Numero di transistor = 1 Tipo di package = TO-247 Tipo di canale = N ...

ST Microelectronics

STGWA50HP65FB2

a partire da € 1,38*
per pezzo

IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 86 A, canale N, TO-247 (1 offerta)

LIGBT 650 V serie HB2 di STMicroelectronics rappresenta unevoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di cond...

ST Microelectronics

STGWA50HP65FB2

a partire da € 2,02*
per pezzo

IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, canale N, Cavi lunghi TO-247 (2 offerte)

Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±30V Numero di transistor = 1 Tipo di package = Cavi lunghi TO-247 Tipo di canale = N Numero pin = 3 Configurazione trans...

ST Microelectronics

STGWA30HP65FB2

a partire da € 1,506*
per pezzo

IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, canale N, Cavi lunghi TO-247 (1 offerta)

Larresto di campo Trench-gate di STMicroelectronics, 650 V, 30 A, IGBT serie HB2 ad alta velocità in un contenitore a conduttori lunghi TO-247, ha un coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo.C...

ST Microelectronics

STGWA30HP65FB2

a partire da € 2,082*
per pezzo