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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 60 A, H2PAK-2


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N. Articolo:
     3369E-2484893
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STGH30H65DFB-2AG
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Corrente massima continuativa collettore = 60 A
Tensione massima collettore emitter = 650 V
Tensione massima gate emitter = 20V
Dissipazione di potenza massima = 260 W
Tipo di package = H2PAK-2
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
60 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
20V
Dissipazione di potenza massima:
260 W
Numero di transistor:
1
Configurazione:
Single
Tipo di package:
H2PAK-2
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, smd transistor, 2484893, Semiconduttori, Discreti, IGBT, STMicroelectronics, STGH30H65DFB2AG
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