IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 40 A, canale N, TO-247

LIGBT 650 V serie HB2 di STMicroelectronics rappresenta unevoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di conduzione, grazie a un migliore comportamento VCE(sat) a bassi valori di corrente, nonché in termini di energia di commutazione ridotta. Un diodo utilizzato solo a scopo di protezione è co-confezionato in antiparallelo con lIGBT. Il risultato è un prodotto progettato appositamente per massimizzare lefficienza per unampia gamma di applicazioni rapide.Temperatura di giunzione massima di 175 °C. Diodo di protezione in contenitore Corrente di coda ridotta al minimo Distribuzione dei parametri rigida Bassa resistenza termica Coefficiente di temperatura positivo