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DIODES INC. DMTH8008LFGQ-7 MOSFET, CAN N, 80V, 70A, POWERDI 3333


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N. Articolo:
     8585-3589347
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMTH8008LFGQ-7
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0053 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 70 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor PowerDI 3333 Tensione Drain Source Vds 80 V Dissipazione di potenza 50 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, DIODES INC., DMTH8008LFGQ-7, 3589347, 358-9347
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