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MOSFET DiodesZetex, canale N, 0,0069 O, 70 A, PowerDI3333-8, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2139257
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMTH8008LFGQ-7
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 70 A
Tensione massima drain source = 80 V
Serie = DMTH8008LFGQ
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Resistenza massima drain source = 0,0069 O
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 2.5V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
70 A
Tensione massima drain source:
80 V
Tipo di package:
PowerDI3333-8
Serie:
DMTH8008LFGQ
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
0,0069 O
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.5V
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 2139257, Semiconduttori, Discreti, DiodesZetex, DMTH8008LFGQ7
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