Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-4067256 N. Art. Produtt.:
DMTH8008LFGQ-13 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0053 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 70 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor PowerDI 3333 Tensione Drain Source Vds 80 V Dissipazione di potenza 50 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (23-Jan-2024) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, DIODES INC., DMTH8008LFGQ-13, 4067256, 406-7256 |
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