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  Transistor a effetto campo  (4.688 offerte tra 5.457.254 articoli)

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"Transistor a effetto campo"

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MOSFET onsemi, canale N, 100 mΩ, 14 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale (1 offerta) 
MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cel...
onsemi
RFD14N05LSM
a partire da € 0,429*
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 pezzo
DIODES INC. DMG2302UK-7 MOSFET, CANALE N, 20V, 2.8A, SOT-23 (3 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.061 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Tra...
Diodes
DMG2302UK-7
a partire da € 0,256*
per 5 pezzi
 
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IXYS IXTH360N055T2 MOSFET 1 Canale N 935 W TO-247AD (2 offerte) 
MOSFET dati tecnici: C(ISS): 20000 pF · C(ISS) Tensione riferimento: 25 V · Caratteristiche (transistor): Canale N · Caratteristiche Transistor: Standard · Case: TO-247AD · Compatibile RoHS: Sì · F...
IXYS
IXTH360N055T2
a partire da € 7,42*
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ONSEMI FCP20N60. N CHANNEL MOSFET, 600V, 20A, TO-220, Cha (2 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Corrente Conti...
onsemi
FCP20N60.
a partire da € 3,71*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET onsemi, canale N, 100 mΩ, 14 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale (1 offerta) 
MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cel...
onsemi
RFD14N05LSM9A
a partire da € 3,28*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
DIODES INC. DMG1012UW MOSFET, CANALE N, ESD, 20V, 1A, SOT323 (1 offerta) 
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.3 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Trans...
Diodes
DMG1012UW
a partire da € 0,233*
per 5 pezzi
 
 pacchetto
ONSEMI FDD6637. P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, FULL REEL, (3 offerte) 
Montaggio Transistore Surface Mount Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Unlimited Numero di pin 3 Pin Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0097 ohm Gamma di prodotti - Qualificazion...
onsemi
FDD6637.
a partire da € 0,674*
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 pezzo
MOSFET onsemi, canale N, 100 mΩ, 14 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale (3 offerte) 
MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cel...
onsemi
RFD14N05SM9A
a partire da € 0,338*
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 pezzo
DIODES INC. DMG1012UW-7 MOSFET, CANALE N, 20V, 1A, SOT-323 (3 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.3 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Trans...
Diodes
DMG1012UW-7
a partire da € 0,37*
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ONSEMI FDD8444. MOSFET, N CH, 40V, 0.004OHM, 145A, TO-25 (2 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Tipo di canale N Channel Resistenza Drain-Source in conduzione 0.004 ohm Qualificazioni - Tensione Drain Source Vds 40 V Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) ...
onsemi
FDD8444.
a partire da € 2.247,50*
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MOSFET ON Semiconductor, canale N, 40 mΩ, 30 A, TO-220AB, Su foro (1 offerta) 
MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cel...
onsemi
BUZ11_NR4941
a partire da € 2,835*
per 5 pezzi
 
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DIODES INC. DMN2056U-7 MOSFET, AEC-Q101, CA-N, 20V, SOT-23 (3 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.03 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Tran...
Diodes
DMN2056U-7
a partire da € 0,374*
per 5 pezzi
 
 pacchetto
ONSEMI FQP27N25.. N CH MOSFET, 250V, 25.5A, TO-220 (1 offerta) 
Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Temperatura di esercizio max 150 °C Numero di pin 3 Pin Corrente Continua di Drain Id 25.5 A Tensione Drain Source Vds 250 V Tensione di test di Rds(on) 1...
onsemi
FQP27N25..
a partire da € 1,04*
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 pezzi
MOSFET onsemi, canale N, 49 mΩ, 52 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale (1 offerta) 
MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cel...
onsemi
FDB52N20TM
a partire da € 6,00*
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DIODES INC. DMG2301LK-7 MOSFET, CA-P, -20V, -2,4A, SOT-23 (1 offerta) 
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.136 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Tra...
Diodes
DMG2301LK-7
a partire da € 0,4755*
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