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  sihu2n80aege3  (12 offerte tra 5.613.727 articoli)

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VISHAY SIHU2N80AE-GE3 MOSFET, CANALE N, 800V, 2,9A, IPAK (2 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 2.5 ohm Gamma di prodotti E Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transi...
Vishay
SIHU2N80AE-GE3
a partire da € 0,341*
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99%
MOSFET Vishay, canale N, 2.5 Ω, 2,9 A, IPAK (TO-251), Su foro (1 offerta) 
Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 2,9 A Tensione massima drain source = 800 V Serie = E Tipo di montaggio = Su foro Numero pin = 3 Resistenza massima drain source = 2.5 Ω ...
Vishay
SIHU2N80AE-GE3
a partire da € 0,402*
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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 800V; 1,8A; Idm: 5A; 62,5W (1 offerta) 
Produttore: VISHAY Montaggio: THT Corpo: IPAK;TO251 Tensione drenaggio-fonte: 800V Corrente di drenaggio: 1,8A Resistenza nello stato di conduzione: 2,75Ω Tipo del transistor: N-MOSFET Potenza diss...
Vishay
SIHU2N80E-GE3
a partire da € 0,81*
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VISHAY SIHA2N80E-GE3 Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source (2 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 2.38 ohm Gamma di prodotti E Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Trans...
Vishay
SIHA2N80E-GE3
a partire da € 0,681*
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Mosfet di potenza serie E, Canale N, 800V, 2.9A, TO-252 (4 offerte) 
Nome del prodotto=Mosfet di potenza serie E, Tipo=SIHD2N80AE-GE3, Corrente di drain continua (Id)=2.9 A, Dissipazione di potenza (Pd)=62.5 W, Pin=3, Resistenza ON (Rds(on))=2.5 Ω, Temperatura di es...
Vishay
SIHD2N80AE-GE3
a partire da € 0,427*
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91%
MOSFET Vishay, canale N, 1,44 Ω, 4,1 A, IPAK (TO-251), Su foro (1 offerta) 
Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 4,1 A Tensione massima drain source = 800 V Tipo di package = IPAK (TO-251) Tipo di montaggio = Su foro Numero pin = 3 Resistenza massima...
Vishay
SIHU4N80AE-GE3
a partire da € 4,505*
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VISHAY SIHU5N80AE-GE3 MOSFET, CAN N, 800V, 4.4A, TO-251 (2 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 1.17 ohm Gamma di prodotti E Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Co...
Vishay
SIHU5N80AE-GE3
a partire da € 0,411*
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91%
MOSFET Vishay, canale N, 2,9 Ω, 2,9 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale (1 offerta) 
Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 2,9 A Tensione massima drain source = 800 V Tipo di package = DPAK (TO-252) Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Res...
Vishay
SIHD2N80AE-GE3
a partire da € 4,97*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
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VISHAY SIHU6N80AE-GE3 MOSFET, CAN N, 800V, 5A, 150°C, 62.5W (3 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.826 ohm Gamma di prodotti E Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Tran...
Vishay
SIHU6N80AE-GE3
a partire da € 0,521*
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MOSFET Vishay, canale N, 1,44 Ω, 4,1 A, IPAK (TO-251), Su foro (3 offerte) 
Serie E MOSFET di potenzaBassa figura di merito (FOM) Ron x Qg Bassa capacità effettiva (CISS) Perdite di conduzione e commutazione ridotte APPLICAZIONI Alimentatori per server e telecomunicazioni ...
Vishay
SIHU4N80AE-GE3
a partire da € 0,583*
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MOSFET Vishay, canale N, 0,95 Ω, 3,2 A, 5 A, IPAK (TO-251), Su foro (1 offerta) 
Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 3,2 A, 5 A Tensione massima drain source = 850 V Serie = E Tipo di montaggio = Su foro Numero pin = 3 Resistenza massima drain source = 0...
Vishay
SIHU6N80AE-GE3
a partire da € 0,593*
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91%
MOSFET Vishay, canale N, 1,35 Ω, 4,4 A, IPAK (TO-251), Su foro (1 offerta) 
Il MOSFET di potenza serie e Vishay è dotato di un basso valore di merito (FOM) Ron x Qg e una bassa capacità di ingresso (Ciss).Carica del gate ultrabassa (Qg) Valore nominale dellenergia a valang...
Vishay
SIHU5N80AE-GE3
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