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VISHAY SIHU2N80AE-GE3 MOSFET, CANALE N, 800V, 2,9A, IPAK


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N. Articolo:
     8585-3586073
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIHU2N80AE-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 2.5 ohm Gamma di prodotti E Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 2.9 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-251 (IPAK) Tensione Drain Source Vds 800 V Dissipazione di potenza 62.5 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (19-Jan-2021)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SIHU2N80AE-GE3, 3586073, 358-6073
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