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MOSFET Vishay, canale N, 1,35 Ω, 4,4 A, IPAK (TO-251), Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2047229
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIHU5N80AE-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Il MOSFET di potenza serie e Vishay è dotato di un basso valore di merito (FOM) Ron x Qg e una bassa capacità di ingresso (Ciss).Carica del gate ultrabassa (Qg) Valore nominale dellenergia a valanga (UIS)
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
4,4 A
Tensione massima drain source:
800 V
Tipo di package:
IPAK (TO-251)
Serie:
SiHU5N80AE
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
1,35 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 2047229, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SIHU5N80AEGE3
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