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MOSFET Vishay, canale N, 2.5 Ω, 2,9 A, IPAK (TO-251), Su foro


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Informazioni sul prodotto
Product Image
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N. Articolo:
     3369E-2104997
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIHU2N80AE-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
2104997
Semiconduttori
Discreti
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 2,9 A
Tensione massima drain source = 800 V
Serie = E
Tipo di montaggio = Su foro
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 2.5 Ω
Tensione di soglia gate massima = 2 → 4V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
2,9 A
Tensione massima drain source:
800 V
Tipo di package:
IPAK (TO-251)
Serie:
E
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
2.5 Ω
Tensione di soglia gate massima:
2 → 4V
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: Vishay, SIHU2N80AEGE3
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