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La Infineon IRFHS8342 è una robusta famiglia di MOSFET di potenza IRFET ottimizzata per bassa resistenza RDS(ON) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bass...

Tipo di canale = P Corrente massima continuativa di drain = 5,6 A Tensione massima drain source = 20 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 2 Resistenza massima dr...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 5,4 A Tensione massima drain source = 100 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Resistenza massima d...

I MOSFET di potenza a canale N OptiMOS di Infineon sono sviluppati per aumentare lefficienza, la densità di potenza e lefficacia in termini di costi. Progettati per applicazioni ad alte prestazioni...

I MOSFET di potenza a canale N OptiMOS Infineon sono sviluppati per aumentare lefficienza, la densità di potenza e lefficacia in termini di costi. Progettati per applicazioni ad alte prestazioni e ...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 24 A Tensione massima drain source = 150 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza massima dr...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 320 A Tensione massima drain source = 40 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza massima dr...

Questo MOSFET di potenza Infineon HEXFET è ottimizzato per offrire la più ampia disponibilità dai partner di distribuzione. È dotato di un diodo body più morbido rispetto alla precedente generazion...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 240 A Tensione massima drain source = 55 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 7 Resistenza massima dr...

Questo MOSFET di potenza Infineon HEXFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa allaccensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntiv...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 180 A Tensione massima drain source = 40 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza massima dr...

Questa Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa allaccensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questa struttura son...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 87 A Tensione massima drain source = 30 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza massima dra...