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MOSFET Infineon, canale N, 0,0016 Ω, 320 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2144460
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRFS7434TRLPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 320 A
Tensione massima drain source = 40 V
Serie = HEXFET
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 0,0016 Ω
Tensione di soglia gate massima = 3.9V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
320 A
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0,0016 Ω
Tensione di soglia gate massima:
3.9V
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: MOSFET, transistor a effetto campo, 2144460, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRFS7434TRLPBF
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