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MOSFET Infineon, canale N, 0,0059 Ω, 200 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-2144467
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRL1404ZSTRLPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Questa Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa allaccensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questa struttura sono una temperatura desercizio della giunzione a 175 °C, elevata velocità di commutazione e migliori valori nominali delleffetto valanga.È senza piombo
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
200 A
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0,0059 Ω
Tensione di soglia gate massima:
2.7V
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 2144467, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRL1404ZSTRLPBF
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