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MOSFET di potenza a canale N singolo serie Infineon HEXFET. Questo MOSFET di potenza HEXFET® utilizza le più recenti tecnologie di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all’ac...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 93 A Tensione massima drain source = 20 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza massima dra...

I MOSFET di potenza Infineon HEXFET utilizzano le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa allaccensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive d...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 48 A Tensione massima drain source = 60 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza massima dra...

MOSFET di potenza a canale N serie Infineon HEXFET. I MOSFET di potenza HEXFET di International Rectifier utilizzano Advanced Processing Techniques per ottenere una resistenza estremamente bassa al...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 62 A Tensione massima drain source = 55 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza massima dra...

Il MOSFET di potenza Infineon HEXFET® ha una tensione di sorgente di drain massima di 80V in un contenitore DirectFET MZ con valore nominale di 55 ampere ottimizzato con bassa resistenza in stato a...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 35 A Tensione massima drain source = 100 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza massima dr...

La serie di MOSFET di potenza Infineon HEXFET ha una tensione di sorgente di drain massima di 55V. Si tratta di un singolo MOSFET di potenza HEXFET a canale N in un contenitore tipo D-Pak. La serie...

La serie Infineon HEXFET di quinta generazione di International Rectifier utilizza Advanced Processing Techniques per ottenere una resistenza estremamente bassa allaccensione per larea del silicio....

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 57 A Tensione massima drain source = 100 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza massima dr...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 42 A Tensione massima drain source = 100 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza massima dr...

MOSFET IR a canale N singolo della serie IRFS Infineon. Questo MOSFET è utilizzato in convertitori c.c.-c.c. ad alta frequenza, display al plasma, ecc.Senza piombo Significativa riduzione delle per...