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  IGBT (855 articoli)

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Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 75 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Numero di transistor = 2 Configurazione = Single
Infineon
IKW75N65RH5XKSA1
a partire da € 207,66*
per 30 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 75 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 395 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW75N65RH5XKSA1
a partire da € 7,519*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 75 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 395 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW75N65SS5XKSA1
a partire da € 268,6302*
per 30 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 75 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Numero di transistor = 2 Configurazione = Single
Infineon
IKW75N65SS5XKSA1
a partire da € 9,419*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 305 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65RH5XKSA1
a partire da € 6,017*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 274 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65SS5XKSA1
a partire da € 220,1502*
per 30 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Numero di transistor = 2 Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65SS5XKSA1
a partire da € 7,816*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 95 A, ACEPACK 2 (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 95 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 275 W Tipo di package = ACEPACK 2
Infineon
FS75R07W2E3B11ABOMA1
a partire da € 43,583*
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 pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 95 A, ACEPACK 2 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 95 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 275 W Tipo di package = ACEPACK 2
Infineon
FS75R07W2E3B11ABOMA1
a partire da € 55,303*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 305 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IGW50N65F5FKSA1
a partire da € 2,37*
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 pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 305 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IGW50N65F5FKSA1
a partire da € 3,18*
per pezzo
 
 pezzi
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (3 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 305 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65F5FKSA1
a partire da € 2,11*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 305 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65F5FKSA1
a partire da € 2,784*
per pezzo
 
 pezzi
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 305 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65H5FKSA1
a partire da € 3,162*
per pezzo
 
 pezzi
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 305 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65H5FKSA1
a partire da € 3,238*
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