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Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 75 A, PG-TO247-3


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2496945
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IKW75N65RH5XKSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Modulo IGBT
Moduli IGBT
FET di giunzione
Corrente massima continuativa collettore = 75 A
Tensione massima collettore emitter = 650 V
Tensione massima gate emitter = 15V
Numero di transistor = 2
Configurazione = Single
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
75 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
15V
Dissipazione di potenza massima:
395 W
Numero di transistor:
2
Configurazione:
Single
Tipo di package:
PG-TO247-3
Altri termini di ricerca: Transistor, Transistor di potenza, Transistori, Transistore, transistor igbt, 2496945, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, IKW75N65RH5XKSA1
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