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Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2591527
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IGW50N65F5FKSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
FET di giunzione
Transistor
Corrente massima continuativa collettore = 80 A
Tensione massima collettore emitter = 650 V
Tensione massima gate emitter = ±20V
Dissipazione di potenza massima = 305 W
Tipo di package = PG-TO247-3
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
80 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
305 W
Tipo di package:
PG-TO247-3
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, Transistori, Transistore, transistor di potenza, 2591527, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, IGW50N65F5FKSA1
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