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Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3


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N. Articolo:
     3369E-2591532
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IKW50N65F5FKSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Modulo IGBT
Moduli IGBT
FET di giunzione
Corrente massima continuativa collettore = 80 A
Tensione massima collettore emitter = 650 V
Tensione massima gate emitter = ±20V
Dissipazione di potenza massima = 305 W
Tipo di package = PG-TO247-3
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
80 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
305 W
Tipo di package:
PG-TO247-3
Altri termini di ricerca: Transistor, Transistor di potenza, Transistori, Transistore, transistor igbt, 2591532, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, IKW50N65F5FKSA1
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MGJ2D051509SC
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Accessori
Convertitore c.c.-c.c. 3W, Vin 4,5 → 9 V c.c., Vout 5 V dc, 15V cc, 5.2kV cc
Murata
MGJ3T05150505MC-R7
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