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INFINEON IMBF170R1K0M1XTMA1 MOSFET, CAN N, 1.7KV, 5.2A, TO-263


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N. Articolo:
     8585-3500942
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IMBF170R1K0M1XTMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 15 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.809 ohm Gamma di prodotti CoolSiC Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 7 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 5.2 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 1.7 kV Dissipazione di potenza 68 W Tensione di soglia Gate-Source massima 4.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, INFINEON, IMBF170R1K0M1XTMA1, 3500942, 350-0942
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IGBT Infineon, VCE 11,4 V, IC 11,9 A, canale N, PG-SOT23-6-3
Infineon
1ED44175N01BXTSA1
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