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IGBT Infineon, VCE 11,4 V, IC 11,9 A, canale N, PG-SOT23-6-3


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N. Articolo:
     3369E-2224756
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     1ED44175N01BXTSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Transistore
Driver gate non invertente low-side a canale singolo da 25 V Infineon EiceDRIVER™ per IGBT con correnti di source e sink di 2,6 A in un piccolo contenitore PG-SOT23 a 6 conduttori.Soglia di sovracorrente -0,246 V con tolleranza precisa ±5% Rilevamento della sovracorrente con ingresso di tensione negativo Pin singolo per luscita di guasto e labilitazione Tempo di cancellazione dei guasti programmabile Blocco di sicurezza contro sottotensione per IGBT Ingressi CMOS ad attivazione Schmitt
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
11,9 A
Tensione massima collettore emitter:
11,4 V
Tensione massima gate emitter:
20V
Dissipazione di potenza massima:
500 mW
Tipo di package:
PG-SOT23-6-3
Tipo di canale:
N
Numero pin:
6
Configurazione transistor:
Emettitore comune
Altri termini di ricerca: transistor igbt, 2224756, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, 1ED44175N01BXTSA1
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