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INFINEON IPB120P04P404ATMA1 Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     8585-2725840
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPB120P04P404ATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0026 ohm Gamma di prodotti OptiMOS P2 Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 120 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 136 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, INFINEON, IPB120P04P404ATMA1, 2725840, 272-5840
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