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MOSFET Vishay, canale N, 4,8 mΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1884921
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SQM40041EL_GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 120 A
Tensione massima drain source = 40 V
Tipo di package = D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 4,8 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 2.5V
Tensione di soglia gate minima = 1.5V
Dissipazione di potenza massima = 157 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±20 V
Massima temperatura operativa = +175 °Cmm
Tensione diretta del diodo = 1.5V
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
120 A
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
4,8 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.5V
Tensione di soglia gate minima:
1.5V
Dissipazione di potenza massima:
157 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±20 V
Lunghezza:
10.41mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 1884921, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SQM40041EL_GE3
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