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ONSEMI MGSF2N02ELT1G MOSFET, N, 20V, SOT-23


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N. Articolo:
     8585-1453618
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     MGSF2N02ELT1G
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.078 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 2.8 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-23 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 1.25 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (14-Jun-2023)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, ONSEMI, MGSF2N02ELT1G, 1453618, 145-3618
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