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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 20V; 2,8A; 1,25W; SOT23


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 20V; 2,8A; 1,25W; SOT23
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 20V; 2,8A; 1,25W; SOT23
N. Articolo:
     5068-MGSF2N02ELT1G
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     MGSF2N02ELT1G
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: SOT23
Tensione drenaggio-fonte: 20V
Corrente di drenaggio: 2,8A
Resistenza nello stato di conduzione: 85mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 1,25W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 3,5nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±8V
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