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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -60V; -2,4A; 1,1W; SOT26


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N. Articolo:
     5068-ZXMP6A17E6TA
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     ZXMP6A17E6TA
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: DIODES INCORPORATED
Montaggio: SMD
Corpo: SOT26
Tensione drenaggio-fonte: -60V
Corrente di drenaggio: -2,4A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,19Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 1,1W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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N. Art. Produtt.
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Accessori
Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 60V; 2,6A; 1,25W; SO8
Diodes
ZXMN6A11DN8TA
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