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MOSFET DiodesZetex, canale P, 125 mΩ, 3 A, SOT-23, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-6697489
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     ZXMP6A17E6TA
EAN/GTIN:
     5059043958286
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET a canale P, da 40 V a 90 V, Diodes Inc
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
3 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
SOT-23
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
6
Resistenza massima drain source:
125 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3V
Dissipazione di potenza massima:
1700 mW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
3.1mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, 6697489, Semiconduttori, Discreti, DiodesZetex, ZXMP6A17E6TA
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Prezzo
Accessori
Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 60V; 2,6A; 1,25W; SO8
Diodes
ZXMN6A11DN8TA
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