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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 20V; 2,2A; Idm: 12A; 0,66W; SOT23


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 20V; 2,2A; Idm: 12A; 0,66W; SOT23
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 20V; 2,2A; Idm: 12A; 0,66W; SOT23
N. Articolo:
     5068-DMG2302UK-7
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMG2302UK-7
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: DIODES INCORPORATED
Montaggio: SMD
Corpo: SOT23
Tensione drenaggio-fonte: 20V
Corrente di drenaggio: 2,2A
Resistenza nello stato di conduzione: 90mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 0,66W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori: ESD protected gate
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±12V
Corrente di drain pulsata: 12A
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