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MOSFET DiodesZetex, canale N, 120 mΩ, 2,8 A, SOT-23, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1333362
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMG2302UK-7
EAN/GTIN:
     5059043456980
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET a canale N, da 12 V a 28 V, Diodes Inc
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
2,8 A
Tensione massima drain source:
20 V
Tipo di package:
SOT-23
Serie:
DMG2302UK
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
120 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
1V
Tensione di soglia gate minima:
0.3V
Dissipazione di potenza massima:
1,1 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-12 V, +12 V
Lunghezza:
3mm
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, transistor a effetto campo, 1333362, Semiconduttori, Discreti, DiodesZetex, DMG2302UK7
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