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MOSFET DiodesZetex, canale N, 750 mΩ, 1 A, SOT-323, Montaggio superficiale


Quantità:  pacchetto  
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1220203
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMG1012UW-7
EAN/GTIN:
     5059043271613
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET a canale N, da 12 V a 28 V, Diodes Inc
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
1 A
Tensione massima drain source:
20 V
Tipo di package:
SOT-323
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
750 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
1V
Dissipazione di potenza massima:
290 mW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-6 V, +6 V
Lunghezza:
2.2mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, transistor a effetto campo, 1220203, Semiconduttori, Discreti, DiodesZetex, DMG1012UW7
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