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DIODES INC. DMG1012UW MOSFET, CANALE N, ESD, 20V, 1A, SOT323


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-2061403
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMG1012UW
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.3 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 1 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-323 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 290 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 500 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, DIODES INC., DMG1012UW, 2061403, 206-1403
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Accessori
Modulo Driver gate IR2117SPBF, CMOS, LSTTL, 500 mA, 20V, PDIP, 8-Pin
Infineon
IR2117SPBF
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