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MOSFET doppio a canale N PowerTrench®, Fairchild Semiconductor. I MOSFET PowerTrench® Semis sono commutati di potenza ottimizzati che offrono maggiore efficienza del sistema e densità di potenza. C...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.1 ohm Gamma di prodotti SUPERFET III Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Monta...

MOSFET a canale P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor. I MOSFET PowerTrench® sono interruttori di potenza ottimizzati che consentono di aumentare l'efficienza e la densità di potenza del sistema....

MOSFET di potenza a canale N, HiPerFET™ serie IXYS X2. La serie di MOSFET di potenza HiPerFET classe X2 IXYS offre una carica significativamente ridotta su resistenza e di gate rispetto alle preced...

Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Corrente di drain continua (Id) canale P 3 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensione...

MOSFET canale P Infineon SIPMOS®. I MOSFET a canale P- a segnale ridotto Infineon SIPMOS ;sup>® ;/sup> dispongono di diverse caratteristiche che possono includere modalità potenziata, corrente in d...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 12 A Tensione massima drain source = 650 V Tipo di package = Power88 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 4 Resistenza...

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.026 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Tra...

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Q3 IXYS. I MOSFET di potenza HiperFET™ della classe IXYS Q3 sono adatti sia alle applicazioni con modalità hard switching sia di risonanza, e offrono u...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.035 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Tran...

MOSFET di potenza a canale N, IXYS serie lineare. MOSFET di potenza canale N progettato specificamente per il funzionamento lineare. Questi dispositivi sono caratterizzati da polarizzazione estesa ...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 19 A Tensione massima drain source = 650 V Tipo di package = TO-220 Tipo di montaggio = Su foro Numero pin = 3 Resistenza massima drain s...

Tensione drain-source (Vds) canale N 25 V Corrente di drain continua (Id) canale P - Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensione d...

MOSFET a canale P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor. I MOSFET PowerTrench® sono interruttori di potenza ottimizzati che consentono di aumentare l'efficienza e la densità di potenza del sistema....

MOSFET di potenza a canale N, serie IXYS X2-Class. La serie di MOSFET di potenza classe X2 IXYS offre una carica significativamente ridotta su resistenza e di gate rispetto alle precedenti generazi...