ONSEMI FCMT125N65S3 MOSFET, CANALE N 650V, 24A, 150°C, 181W

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.1 ohm Gamma di prodotti SUPERFET III Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 24 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PQFN Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 181 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (14-Jun-2023)