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MOSFET IXYS, canale N, 11 mΩ, 178 A, SOT-227, Montaggio a vite


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1684584
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTN200N10L2
EAN/GTIN:
     5059041361064
Termini di ricerca:
MOSFET
MOSFET di potenza a canale N, IXYS serie lineare. MOSFET di potenza canale N progettato specificamente per il funzionamento lineare. Questi dispositivi sono caratterizzati da polarizzazione estesa in avanti (FBSOA) per una maggiore robustezza e affidabilità.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
178 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
SOT-227
Serie:
Linear L2
Tipo di montaggio:
Montaggio a vite
Numero pin:
4
Resistenza massima drain source:
11 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4.5V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
830 W
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
38.23mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: 1684584, Semiconduttori, Discreti, IXYS, IXTN200N10L2
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