MOSFET  (14.512 offerte tra 5.636.419 articoli)

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.25 ohm Gamma di prodotti SuperFET II Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Monta...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.474 ohm Gamma di prodotti SUPERFET III Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N...

MOSFET di potenza a canale P da 30 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma ...

Tipo di Capacità Elettrica di I/O 0.8 pF Corrente di Dispersione in Stato ZollSpento Zoll Zoll1 32 0.000001 Gamma di prodotti G3VM-6x Terminali del Relè Ala di Gabbiano Resistenza Stato On Max 2 oh...

MOSFET a canale di potenza P P Infineon OptiMOS™. I MOSFET di potenza a canale P Infineon OptiMOS ™ sono progettati per offrire caratteristiche ottimizzate unite a prestazioni di qualità. Le caratt...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.079 ohm Gamma di prodotti SuperFET III Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Mon...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.122 ohm Gamma di prodotti UniFET Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corre...

MOSFET di potenza a canale P da 12 V a 20 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di...

Tipo di Capacità Elettrica di I/O - Corrente di Dispersione in Stato ZollSpento Zoll Zoll- Gamma di prodotti G3VM Series Terminali del Relè Ala di Gabbiano Resistenza Stato On Max 0.25 ohm Tipo di ...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.493 ohm Gamma di prodotti SuperFET III Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N...

MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fatto...

MOSFET a canale N UniFET™, Fairchild Semiconductor. Il MOSFET UniFET™ è una famiglia di MOSFET ad alta tensione di Fairchild Semiconductor. Presenta la più piccola resistenza in stato attivo fra i ...