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MOSFET di potenza a canale P da 40V a 55V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di f...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0225 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P ...

MOSFET di potenza a canale P da 30 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma ...

Corrente di Source (Sorgente) 5 A Tipo di Interruttore di Potenza MOSFET Gamma di prodotti - Tipo di Ingresso Invertente Tensione di alimentazione max 18 V Livello di sensibilità all'umidità (MSL) ...

MOSFET a canale di potenza P P Infineon OptiMOS™. I MOSFET di potenza a canale P Infineon OptiMOS ™ sono progettati per offrire caratteristiche ottimizzate unite a prestazioni di qualità. Le caratt...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0046 ohm Gamma di prodotti Trench Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore monta...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 1.2 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante...

MOSFET di potenza a canale P da 40V a 55V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di f...

Corrente di Source (Sorgente) 4 A Tipo di Interruttore di Potenza MOSFET Gamma di prodotti - Tipo di Ingresso Non-Invertente Tensione di alimentazione max 20 V Numero di pin 8 Pin Corrente di Sink ...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0057 ohm Gamma di prodotti Trench Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggi...

MOSFET a canale di potenza P P Infineon OptiMOS™. I MOSFET di potenza a canale P Infineon OptiMOS ™ sono progettati per offrire caratteristiche ottimizzate unite a prestazioni di qualità. Le caratt...

Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 5.5 A Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua...

Corrente di Source (Sorgente) 90 mA Tipo di Interruttore di Potenza IGBT, MOSFET Gamma di prodotti - Tipo di Ingresso Non-Invertente Tensione di alimentazione max 20 V Livello di sensibilità all'um...

MOSFET a canale di potenza P P Infineon OptiMOS™. I MOSFET di potenza a canale P Infineon OptiMOS ™ sono progettati per offrire caratteristiche ottimizzate unite a prestazioni di qualità. Le caratt...