MOSFET Infineon, canale P, 3,9 mΩ, 180 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

MOSFET a canale di potenza P P Infineon OptiMOS™. I MOSFET di potenza a canale P Infineon OptiMOS ™ sono progettati per offrire caratteristiche ottimizzate unite a prestazioni di qualità. Le caratteristiche includono perdita ultra-bassa di commutazione, resistenza in stato attivo e valori nominali dell'effetto valanga, oltre alla qualifica AEC per soluzioni nel settore automobilistico. Le applicazioni includono: CC-CC, controllo di motori, settore automobilistico ed eMobility.. Modalità potenziata Classificazione Avalanche Perdite di potenza a bassa conduzione e commutazione Placcatura senza piombo; conformità Rohs Contenitori standard Serie a canale P OptiMOS™: gamma di temperatura da -55 °C a +175 °C