Modulo IGBT  (1.763 offerte tra 5.609.714 articoli)

Livello di Corrente (Ic / Id) 3 A Gamma di prodotti - Tensione Nominale (Vces / Vdss) 600 V Modello Case IPM NSDIP Tensione di isolamento 1 kV Serie IPM SLLIMM-nano Sostanze estremamente preoccupan...

Livello di Corrente (Ic / Id) 5 A Tensione Nominale (Vces / Vdss) 600 V Gamma di prodotti SLLIMM Nano 2nd Series Modello Case IPM N2DIP Tensione di isolamento 1.5 kV Serie IPM SLLIMM-nano Sostanze ...

Produttore: SEMIKRON DANFOSS Corpo: MiniSKiiP® 3 Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 124A Corren...

Modulo IGBT dati tecnici: Capacità di ingresso: 24.04 nF · Caratteristiche (transistor): Trench · Case: SEMITRANS 4 · Collettore di corrente I(C): 612 A · Collettore-emettitore tensione di blocco U...

Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 20 mW Tipo di package = Modulo T...

Gamma di prodotti EasyPACK CoolSiC Massima tensione Collettore-Emettitore 1.2 kV Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor Module Corrente di Collettore continua 160 A Termin...

Produttore: SEMIKRON DANFOSS Corpo: SEMITRANS3 Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 324A Corrente...

Modulo IGBT dati tecnici: Capacità di ingresso: 26 nF · Caratteristiche (transistor): PT · Case: SOT-227B · Collettore di corrente I(C): 300 A · Collettore-emettitore tensione di blocco U (CES): 60...

Corrente massima continuativa collettore = 150 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 20 mW Tipo di package = Modulo T...

Gamma di prodotti - Massima tensione Collettore-Emettitore 1.2 kV Temperatura di esercizio max 125 °C Stile di Case del Transistor Module Corrente di Collettore continua 105 A Terminazione IGBT Tab...

Produttore: SEMIKRON DANFOSS Corpo: SEMITRANS2 Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 123A Corrente...

Modulo IGBT dati tecnici: Capacità di ingresso: 7.1 nF · Caratteristiche (transistor): Trench · Case: SEMITRANS 2 · Collettore di corrente I(C): 160 A · Collettore-emettitore tensione di blocco U (...

Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 20 mW Tipo di package = Modulo T...

Gamma di prodotti EasyPACK TRENCHSTOP Massima tensione Collettore-Emettitore 650 V Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor Module Corrente di Collettore continua 50 A Termi...

Produttore: SEMIKRON DANFOSS Corpo: SEMIX2S Tensione invertita max.: 0,6kV Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 379A Corrente de...