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INFINEON BSM75GAR120DN2 MODULO IGBT, CHOPPER, 1200V


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-1496960
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     BSM75GAR120DN2
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Gamma di prodotti - Massima tensione Collettore-Emettitore 1.2 kV Temperatura di esercizio max 125 °C Corrente di Collettore continua 105 A Stile di Case del Transistor modulo Terminazione IGBT Tab Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 3 V Dissipazione di potenza 625 W Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Tecnologia Transistore IGBT - Montaggio Transistore a pannello Configurazione Transistore IGBT Chopper Singolo
Altri termini di ricerca: Transistore, transistor di potenza, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Moduli, Semiconduttori, INFINEON, BSM75GAR120DN2, 1496960, 149-6960
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