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  Modulo IGBT  (1.763 offerte tra 5.609.833 articoli)

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"Modulo IGBT"

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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 150 A, canale N, Modulo (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 150 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 7 Tipo di package = Modulo Tipo di montaggi...
Infineon
FP150R12N3T7BPSA1
a partire da € 248,601*
per pezzo
 
 pezzo
INFINEON DF80R07W1H5FPB11BPSA1 MODULO IGBT, DOPPIO, 650V, 40A (1 offerta) 
Gamma di prodotti EasyPACK TRENCHSTOP Massima tensione Collettore-Emettitore 650 V Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor Module Corrente di Collettore continua 40 A Termi...
Infineon
DF80R07W1H5FPB11BPSA1
a partire da € 42,67*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 offerta) 
Produttore: SEMIKRON DANFOSS Corpo: MiniSKiiP® 2 Potenza: 5,5kW Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del colletto...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 22NAB126V10 25230390
a partire da € 99,12*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 150 A, canale N, Modulo (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 150 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 20 mW Tipo di package = Modulo T...
Infineon
FS150R12N2T7BPSA1
a partire da € 118,204*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 85 A (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 85 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 20 mW
Infineon
F3L150R07W2H3B11BPSA1
a partire da € 65,55*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 offerta) 
Produttore: SEMIKRON DANFOSS Corpo: SEMITRANS3 Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 324A Corrente...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GAL12E4 22892314
a partire da € 141,59*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 200 A, canale N, Modulo (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 200 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 7 Tipo di package = Modulo Tipo di montaggi...
Infineon
FP200R12N3T7BPSA1
a partire da € 246,291*
per pezzo
 
 pezzo
INFINEON F43L50R07W2H3FB11BPSA2 MODULO IGBT, PACCO DA 8, 650V, 50A (1 offerta) 
Gamma di prodotti EasyPACK CoolSiC Massima tensione Collettore-Emettitore 650 V Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor Module Corrente di Collettore continua 50 A Terminaz...
Infineon
F43L50R07W2H3FB11BPSA2
a partire da € 74,32*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; D56 (1 offerta) 
Produttore: SEMIKRON DANFOSS Corpo: SEMITRANS3 Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 20A Corrente ...
SEMIKRON DANFOSS
SKM200GAL125D 22890740
a partire da € 153,94*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 150 A, canale N, Modulo (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 150 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 20 mW Tipo di package = Modulo T...
Infineon
FP150R12N3T7BPSA1
a partire da € 2.561,37*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 100 A (3 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 275 W Configurazione = Emettito...
Infineon
F475R06W1E3BOMA1
a partire da € 27,59*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 offerta) 
Produttore: SEMIKRON DANFOSS Corpo: MiniSKiiP® 3 Potenza: 15kW Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettor...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 35NAB12T4V1 25231470
a partire da € 209,83*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 200 A, canale N, Modulo (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 200 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 7 Tipo di package = Modulo Tipo di montaggi...
Infineon
FP200R12N3T7BPSA1
a partire da € 2.951,57*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
Modulo: IGBT; diodo/transistor; ponte monofase a diodi; Ic: 30A (2 offerte) 
Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES Corpo: AG-EASY1B-1 Tensione invertita max.: 0,6kV Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 30A Cor...
Infineon
FB30R06W1E3BOMA1
a partire da € 24,67*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 offerta) 
Produttore: SEMIKRON DANFOSS Corpo: MiniSKiiP® 2 Potenza: 11kW Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettor...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 24NAB126V10 25230430
a partire da € 156,31*
per pezzo
 
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