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  IGBT (1.544 articoli)

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Modulo IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 115 A, canale N, SEMITRANS2 (1 offerta) 
Moduli IGBT doppi. Una gamma di moduli IGBT SEMITOP® realizzati da Semikron e costituiti da due dispositivi IGBT (half-bridge) collegati in serie. I moduli sono disponibili in un'ampia gamma di ten...
Semikron
SKM75GB12T4
a partire da € 55,447*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 114 A, canale N, SEMITRANS2 (2 offerte) 
Moduli IGBT doppi. Una gamma di moduli IGBT SEMITOP® realizzati da Semikron e costituiti da due dispositivi IGBT (half-bridge) collegati in serie. I moduli sono disponibili in un'ampia gamma di ten...
Semikron
SKM75GB12V
a partire da € 59,71*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 100 A, canale N, SEMITRANS2 (2 offerte) 
Moduli IGBT doppi. Una gamma di moduli IGBT SEMITOP® realizzati da Semikron e costituiti da due dispositivi IGBT (half-bridge) collegati in serie. I moduli sono disponibili in un'ampia gamma di ten...
Semikron
SKM100GB125DN
a partire da € 137,37*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 1,1 kA, canale N, SEMiX®3p (1 offerta) 
Moduli IGBT doppi SEMiX®. Moduli IGBT doppi di Semikron in contenitori a profilo basso SEMiX® adatti per applicazioni di comando di potenza half-bridge. I moduli utilizzano contatti a molla o a pre...
Semikron
SEMiX603GB12E4p
a partire da € 344,851*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 35 A, canale N, DIP26 (1 offerta) 
Il modulo di potenza stampato a trasferimento on Semiconductor con substrato a bassa resistenza termica contenente un circuito convertitore-invertitore-freno costituito da sei raddrizzatori da 35 A...
onsemi
NXH35C120L2C2ESG
a partire da € 64,725*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 35 A, canale N, DIP26 (1 offerta) 
Il modulo di potenza stampato a trasferimento on Semiconductor contenente un circuito convertitore-invertitore-freno costituito da sei raddrizzatori da 35 Ampere e 1600 Volt, sei IGBT da 35 Ampere ...
onsemi
NXH35C120L2C2SG
a partire da € 487,956*
per 6 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 35 A, canale N, DIP26 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 35 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20.0V Numero di transistor = 6 Tipo di package = DIP26 Tipo di montaggio...
onsemi
NXH35C120L2C2SG
a partire da € 81,322*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 25 A, canale N, DIP26 (1 offerta) 
Il modulo di potenza stampato a trasferimento on Semiconductor contenente un circuito convertitore-invertitore-freno costituito da sei raddrizzatori da 25 Ampere e 1600 Volt, sei IGBT da 25 Ampere ...
onsemi
NXH25C120L2C2SG
a partire da € 55,57*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 600 V, IC 40 A, canale N, SPM27 GC (2 offerte) 
PFC SPM® (moduli di potenza intelligenti), Fairchild Semiconductor. Moduli di potenza Advanced Smart (SPM®) di PFC (correzione del fattore di potenza).
onsemi
FPDB40PH60B
a partire da € 13,703*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, SPM27 JA (1 offerta) 
Azionamenti per motori serie Motion SPM® 3, Fairchild Semiconductor. Una gamma di moduli Smart Power avanzati da Fairchild Semiconductor che forniscono soluzioni compatte a elevate prestazioni per ...
onsemi
FSBF15CH60BT
a partire da € 24,197*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 75 A, Q0PACK - contenitore 180AB (senza piombo e alogenuro) (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 4
onsemi
NXH80T120L3Q0S3G
a partire da € 59,639*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 75 A, Q0PACK - contenitore 180AB (senza piombo e alogenuro) (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 188 W
onsemi
NXH80T120L3Q0S3G
a partire da € 67,416*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 61 A, Pin a saldare per contenitore 180AJ (senza piombo e alogenuro) (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 61 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 2
onsemi
NXH100B120H3Q0SG
a partire da € 1.443,76608*
per 24 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 61 A, Pin a saldare per contenitore 180AJ (senza piombo e alogenuro) (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 61 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 186 W
onsemi
NXH100B120H3Q0SG
a partire da € 123,556*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 61 A, Pin a pressione Case 180BF (senza piombo e alogenuro) (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 61 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 186 W
onsemi
NXH100B120H3Q0PG
a partire da € 1.445,436*
per 24 pezzi
 
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