Modulo IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 1,1 kA, canale N, SEMiX®3p

Moduli IGBT doppi SEMiX®. Moduli IGBT doppi di Semikron in contenitori a profilo basso SEMiX® adatti per applicazioni di comando di potenza half-bridge. I moduli utilizzano contatti a molla o a pressione senza saldatura per consentire il montaggio diretto di uno stadio pilota sopra il modulo, risparmiando spazio e garantendo una maggiore affidabilità della connessione. Le applicazioni tipiche includono: comandi per inverter c.a., UPS, sistemi di saldatura elettronica e a energia rinnovabile. Per i moduli stadio pilota a pressione idonei vedere i codici da ; 122-0385 122-0385 a ; 122-0387 122-0387. Contenitore di montaggio a profilo basso senza saldatura IGBT con tecnologia trench gate VCE(sat) ha coefficiente di temperatura positivo Elevata capacità di corrente di cortocircuito Piedini a pressione come contatti ausiliari Riconoscimento UL