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Modulo IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 100 A, canale N, SEMITRANS2


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N. Articolo:
     3369E-4682410
Produttore:
     Semikron
N. Art. Produtt.:
     SKM100GB125DN
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
Transistor di potenza
transistor di potenza
Moduli IGBT doppi. Una gamma di moduli IGBT SEMITOP® realizzati da Semikron e costituiti da due dispositivi IGBT (half-bridge) collegati in serie. I moduli sono disponibili in un'ampia gamma di tensione e corrente nominali e sono adatti per una varietà di applicazioni di commutazione di potenza come inverter c.a., azionamenti per motori e alimentatori continui. Contenitore compatto SEMITOP® Idoneità per frequenze di commutazione fino a 12 kHz Piastra di base in rame isolato che utilizza la tecnologia Direct bonded copper
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
100 A
Tensione massima collettore emitter:
1200 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Configurazione:
Dual Half Bridge (DHB)
Tipo di package:
SEMITRANS2
Tipo di montaggio:
Montaggio a pannello
Tipo di canale:
N
Numero pin:
7
Configurazione transistor:
Serie
Dimensioni:
94.5 x 34.5 x 30.5mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Minima temperatura operativa:
-40 °C
Larghezza:
34.5mm
Altri termini di ricerca: 4682410, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Semikron, SKM100GB125DN
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Accessori
Nel nostro assortimento sono presenti i seguenti accessori:
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Accessori
Convertitore c.c.-c.c. 3W, Vin 9 → 18 V c.c., Vout 5 V dc, 15V cc, 5.2kV cc
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