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ONSEMI FDD8444. MOSFET, N CH, 40V, 0.004OHM, 145A, TO-25


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N. Articolo:
     8585N-2395572
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDD8444.
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Qualificazioni - Tensione Drain Source Vds 40 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.004 ohm Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Unlimited Temperatura di esercizio max 175 °C Numero di pin 3 Pin Gamma di prodotti - Montaggio Transistore Surface Mount Tipo di canale N Channel Dissipazione di potenza 153 W Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead Corrente Continua di Drain Id 145 A Tensione di soglia Gate-Source massima 2.5 V
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, FDD8444., 2395572, 239-5572
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