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ONSEMI FDD6637. P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, FULL REEL,


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N. Articolo:
     8585N-1854389
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDD6637.
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore Surface Mount Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Unlimited Tipo di canale P Channel Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0097 ohm Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.6 V Tensione di test di Rds(on) 10 V Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione Drain Source Vds 35 V Dissipazione di potenza 57 W Corrente Continua di Drain Id 13 A
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, FDD6637., 1854389, 185-4389
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