Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-9102523 N. Art. Produtt.:
IRLD024PBF EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.1 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 2.5 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor DIP Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 1 W Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022) |
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| Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, VISHAY, IRLD024PBF, 9102523, 910-2523 |
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