Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-8657327 N. Art. Produtt.:
IRF1010EZPBF EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0085 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 84 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-220AB Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 140 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
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| Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, INFINEON, IRF1010EZPBF, 8657327, 865-7327 |
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