ONSEMI NTMFS4985NFT3G MOSFET, N-CH, 30V, 65A, DFN

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.009 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 5 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 65 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor DFN Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 24.6 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)